चीनी वैज्ञानिकों ने सेमीकंडक्टर मेमोरी की सहनशक्ति 100 गुना बढ़ाई

चीनी वैज्ञानिकों ने wurtzite ferroelectric materials में 10 बिलियन से ज़्यादा writing cycles हासिल किए हैं, जो पहले के सहनशक्ति स्तर से करीब 100 गुना बेहतर है और अगली पीढ़ी की मेमोरी टेक्नोलॉजी के लिए एक बड़ी सफलता हो सकती है।

यह रिसर्च Xian की Xidian University ने City University of Hong Kong और Fudan University के साथ मिलकर की, जो Science जर्नल में छपी है और इसमें materials के अंदर nitrogen-vacancy movement को रोकने पर फोकस किया गया है ताकि विश्वसनीयता बढ़ाई जा सके। ये निष्कर्ष Xian Daily ने एक ऑनलाइन रिपोर्ट में बताए।

एक अहम विश्वसनीयता की रुकावट को पार करना

Wurtzite ferroelectrics ऐसी materials हैं जो डेटा स्टोर करने के लिए दो इलेक्ट्रिक अवस्थाओं के बीच स्विच कर सकती हैं, जिससे ये high-performance computing और artificial intelligence systems के लिए ज़रूरी एडवांस मेमोरी chips के उम्मीदवार बनती हैं। यह सेमीकंडक्टर में तरक्की ऐसे वक्त आई है जब AI की तेज़ी से ज़्यादा सक्षम storage solutions की मांग बढ़ रही है।

सहनशक्ति का यह नया स्तर ferroelectric memory को भविष्य के computing hardware में असली इस्तेमाल के करीब लाने में मदद कर सकता है, और एक बड़ी रुकावट को दूर कर सकता है जिसने commercial उपयोग को सीमित किया है।

Wurtzite ferroelectrics क्यों अहम हैं

हाल के सालों में, wurtzite ferroelectrics जैसे कि aluminium scandium nitride, जिसे AlScN कहा जाता है, ने अगली पीढ़ी की मेमोरी materials के रूप में ध्यान खींचा है। ये तेज़ switching speeds और संभावित रूप से कम ऊर्जा खपत देती हैं, जो एडवांस computing applications के लिए दो अहम विशेषताएं हैं।

खास बात यह है कि AlScN मौजूदा semiconductor manufacturing processes के साथ compatible है, जो भविष्य की मेमोरी devices में इसके integration को आसान बना सकता है और production की लागत कम कर सकता है।

हालांकि, इस material को एक बड़ी दिक्कत का सामना करना पड़ा है: बार-बार electrical switching के बाद खराब होना। मौजूदा AlScN devices आम तौर पर करीब 100 मिलियन writing cycles के बाद फेल हो गए हैं, जो commercial इस्तेमाल के लिए ज़रूरी बिलियनों से बहुत कम है। चीनी टीम की 10 बिलियन से ज़्यादा cycles की कामयाबी उस commercial सीमा को पूरा करने की दिशा में एक बड़ी छलांग है।

स्रोत: South China Morning Post